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1. 制絨工藝流程？

1、制絨工藝流程？

一、制絨的目的

去除機(jī)械損傷層——主要來(lái)自原片切割過(guò)程中的表面損傷；

增加電池片表面面積——為擴(kuò)散增加制結(jié)面積準(zhǔn)備；陷光原理——大大降低電池片表面反射率；去除雜質(zhì)——HF可以去除電池片表面油污、HCL去除金屬雜質(zhì)；

多晶絨面

?單晶絨面

因單多晶晶體結(jié)構(gòu)差異，考慮到效率因素，多晶常用酸制絨，單晶多用堿制絨。多晶制絨面為不規(guī)則凹凸面，單晶制絨面為規(guī)制類金字塔結(jié)構(gòu)。主要原因是多晶內(nèi)部晶體排列方式雜亂所致，具有各項(xiàng)同性。

常見(jiàn)制絨機(jī)臺(tái)

陷光原理是利用光線入射到電池片表面的斜面，進(jìn)而被反射到另一斜面，以形成多次吸收。入射光在經(jīng)過(guò)多次反射，改變了入射光在硅中的前進(jìn)方向，既延長(zhǎng)了光程，又增加了對(duì)紅外光子的吸收，同時(shí)有較多的光子在靠近PN結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集。

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陷光原理

二、制絨工藝流程（多晶為例）

制絨槽→水洗→堿洗→水洗 →酸洗→水洗→吹干。

反應(yīng)方程式：

1: Si + 4HNO3 = SiO2 + 4NO2 + 2H2O

2: SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O

3: SiF4 + HF= H2SiF6

2.1: NO2 + H2O = HNO3 + HNO2

2.2: Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O

2.3: HNO3 + NO + H2O = HNO2

硅片進(jìn)入含有硝酸和氫氟酸的制絨槽，值得注意的是硅和硝酸及氫氟酸單獨(dú)均不發(fā)生反應(yīng)，但是當(dāng)三者同時(shí)相處時(shí)，反應(yīng)劇烈，所以制絨槽內(nèi)各種酸的比例要求嚴(yán)格（主要針對(duì)效率方面）。

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